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首页 全部分类 APTGT150DA120G vs FF200R12KS4HOSA1

APTGT150DA120G备选型号: FF200R12KS4HOSA1

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  • 安装类型
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  • ECCN 代码
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  • 最高工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • Microsemi Corporation
    APTGT150DA120G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    5
    1.2kV
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    锡银铜
    150°C
    -40°C
    雪崩 额定
    690W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    5
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    220A
    350μA
    1200V
    10.7nF
    335 ns
    2.1V @ 15V, 150A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    10.7nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF200R12KS4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module
    20 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    1.2kV
    2002
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    -
    -
    -
    FAST
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    2 Independent
    ISOLATED
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    275A
    5mA
    1200V
    -
    180 ns
    3.7V @ 15V, 200A
    590 ns
    -
    无
    13nF @ 25V
    符合RoHS标准
    SILICON
    3.2V
    -40°C~125°C
    Dual
    1.4kW
    1400W
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