APTGT300DA170D3G备选型号: APTGT50A170T1G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 元素配置
- 辐射硬化
- IGBT MODULE 1700V 530A 1470W D336 WeeksChassis Mount, Screw底座安装D-3 Module5SILICON1.7kV-40°C~150°C TJ2004e1yes活跃1 (Unlimited)7EAR99锡银铜1.47kWUPPERUNSPECIFIED7R-XUFM-X7SingleISOLATED1470WMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard1.7kV530A8mA1700V26nF430 ns2.4V @ 15V, 300A1200 ns沟渠现场停车无20V26nF @ 25V符合RoHS标准--
- Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-136 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP11SILICON2-40°C~150°C TJ2012e1yes活跃1 (Unlimited)12EAR99锡银铜312WUPPERTHROUGH-HOLE12-半桥ISOLATED312WMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard2.4V75A250μA1700V4.4nF450 ns2.4V @ 15V, 50A1100 ns沟渠现场停车有20V4.4nF @ 25V符合RoHS标准Dual无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGT50SK170T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-1 | 对比 |
![]() | FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | MODULE IGBT 1700V AG-62MM-1 | 对比 |
![]() | APTGT100DU170TG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP4 | IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4 | 对比 |






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