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APTGT300DA170G备选型号: APTGT200A120G
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 元素配置
IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP636 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP65SILICON1.7kV-40°C~150°C TJ2012e1yes活跃1 (Unlimited)5EAR99锡银铜雪崩 额定1.66kWUPPERUNSPECIFIED5SingleISOLATED1660W电源控制N-CHANNELStandard1.7kV400A750μA1700V26.5nF450 ns2.4V @ 15V, 300A1100 ns沟渠现场停车无26.5nF @ 25V符合RoHS标准-
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP636 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP67SILICON1.2kV-40°C~150°C TJ2006e1yes活跃1 (Unlimited)7EAR99锡银铜雪崩 额定890WUPPERUNSPECIFIED7半桥ISOLATED890W电源控制N-CHANNELStandard1.2kV280A350μA1200V14nF340 ns2.1V @ 15V, 200A610 ns沟渠现场停车无14nF @ 25V符合RoHS标准Dual- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGT50SK170T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-1 | 对比 |
 | APTGT200DU120G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP6 | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 | 对比 |
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