APTGT30TL601G备选型号: APTGT30H60T1G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 辐射硬化
- Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 12-Pin Case SP-136 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP112SILICON600V-40°C~175°C TJ2012活跃1 (Unlimited)10EAR9990WUPPERUNSPECIFIED12R-XUFM-X10三级逆变器ISOLATED90W电源控制N-CHANNELStandard600V50A250μA1.6nF170 ns1.9V @ 15V, 30A310 ns沟渠现场停车无20V1.6nF @ 25V1.9 V符合RoHS标准----
- Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 12-Pin Case SP-136 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP112SILICON600V-40°C~175°C TJ2012活跃1 (Unlimited)12EAR9990WUPPERTHROUGH-HOLE12-全桥逆变器ISOLATED90WMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard600V50A250μA1.6nF170 ns1.9V @ 15V, 30A310 ns沟渠现场停车有20V1.6nF @ 25V1.9 V符合RoHS标准e1yes锡银铜无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FP7G50US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | EPM7 | IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7 | 对比 | |
| FMG2G50US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA | 对比 |



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