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APTGT50DDA120T3G备选型号: FMG2G75US120
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
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- 最大集电极电流
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 辐射硬化
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 无铅
POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP336 WeeksSP3底座安装Chassis Mount, Screw32SILICON1.2kV-40°C~175°C TJe1yes活跃1 (Unlimited)25EAR99锡银铜雪崩 额定270WUPPERUNSPECIFIED25R-XUFM-X25双升压斩波器DualISOLATED270W电源控制N-CHANNELStandard1.2kV75A250μA1200V3.6nF140 ns2.1V @ 15V, 50A610 ns沟渠现场停车有3.6nF @ 25V符合RoHS标准无-------
IGBT MODULE 1200V 75A 445W 7PMGA-7PM-GA底座安装底座安装--1.2kV-40°C~150°C TJ--Obsolete1 (Unlimited)----445W----半桥Dual----Standard1.2kV75A3mA1200V--3V @ 15V, 75A--无-符合RoHS标准-3VBulk20041.2kV75A445W无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 1200V 75A 270W | 对比 |
 | APTGT50A120T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 12-Pin Case SP-1 | 对比 |
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