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首页 全部分类 APTGT75TDU120PG vs FS50R12KE3BOSA1

APTGT75TDU120PG备选型号: FS50R12KE3BOSA1

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  • 底架
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  • 晶体管元件材料
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGT75TDU120PG
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    6
    SILICON
    1.2kV
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    21
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    350W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    21
    R-XUFM-X21
    Triple, Dual - Common Source
    ISOLATED
    350W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    2.1V
    100A
    250μA
    1200V
    5.34nF
    335 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    5.34nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FS50R12KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 75A 270W
    -
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    28
    SILICON
    1.2kV
    2002
    -
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    -
    -
    270W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    28
    -
    三相逆变器
    ISOLATED
    -
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    75A
    5mA
    1200V
    -
    140 ns
    2.15V @ 15V, 50A
    610 ns
    NPT
    有
    3.5nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    1.7V
    150°C TJ
    未说明
    未说明
    不合格
    270W
    不含卤素
    17mm
    107.5mm
    45mm
    含铅
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APTGT50A120T1G APTGT50A120T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 12-Pin Case SP-1 对比