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首页 全部分类 ARF466FL vs IRFR3910TRPBF

ARF466FL备选型号: IRFR3910TRPBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    ARF466FL
    Microsemi Corporation
    Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    26 Weeks
    T
    YES
    T3
    1
    Bulk
    1998
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    175°C
    -55°C
    DUAL
    13A
    40.68MHz
    6
    R-CDFM-F6
    SOURCE
    AMPLIFIER
    N-Channel
    13A
    16dB
    150W
    150V
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
    -
    12 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    16A Tc
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    -
    16A
    -
    -
    R-PSSO-G2
    DRAIN
    SWITCHING
    -
    16A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    HEXFET®
    SMD/SMT
    EAR99
    115mOhm
    雪崩 额定
    100V
    鸥翼
    260
    30
    Single
    增强型MOSFET
    52W
    6.4 ns
    N-Channel
    115m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    640pF @ 25V
    44nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    25 ns
    4V
    TO-252AA
    20V
    100V
    60A
    100V
    190 ns
    4 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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