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首页 全部分类 AS4C128M8D2-25BCN vs CY62137FV30LL-45BVXI

AS4C128M8D2-25BCN备选型号: CY62137FV30LL-45BVXI

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  • 系列
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
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  • 引脚数量
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C128M8D2-25BCN
    Alliance Memory, Inc.
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    60-TFBGA
    YES
    60
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.32
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    1Gb 128M x 8
    1
    400MHz
    400ps
    DRAM
    Parallel
    8b
    128MX8
    8
    15ns
    14b
    1 Gb
    10mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62137FV30LL-45BVXI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 2MBIT 45NS 48VFBGA
    6 Weeks
    表面贴装
    48-VFBGA
    -
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2001
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    -
    -
    2.2V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    3V
    3.6V
    2.2V
    2Mb 128K x 16
    1
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    -
    45ns
    17b
    2 Mb
    8mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    MoBL®
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    1MHz
    30
    CY62137
    48
    18mA
    3-STATE
    0.000004A
    45 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    210μm
    6mm
    无SVHC
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