AS4C512M16D3L-12BIN备选型号: IS43TR16256AL-125KBL

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  • 工厂交货时间
  • 安装类型
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  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
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  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
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  • 内存大小
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  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
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  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 数据总线宽度
  • 座位高度(最大)
  • Alliance Memory, Inc.
    IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    96-TFBGA
    YES
    Volatile
    -40°C~95°C TC
    Tray
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    96
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.35V
    0.8mm
    R-PBGA-B96
    不合格
    1.45V
    1.35V
    1.283V
    8Gb 512M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    13.75ns
    DRAM
    Parallel
    512MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    0.011A
    8589934592 bit
    COMMON
    8192
    8
    8
    1.2mm
    14mm
    9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
    6 Weeks
    表面贴装
    96-TFBGA
    YES
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    96
    -
    PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.35V
    0.8mm
    -
    -
    1.45V
    -
    1.283V
    4Gb 256M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    256MX16
    -
    16
    15ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    13mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    96
    16b
    1.2mm
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