AS4C512M16D3L-12BIN备选型号: IS43TR16256AL-125KBL
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- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 数据总线宽度
- 座位高度(最大)
- IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA8 Weeks表面贴装96-TFBGAYESVolatile-40°C~95°C TCTray2015活跃3 (168 Hours)96EAR99AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY1.283V~1.45VBOTTOM11.35V0.8mmR-PBGA-B96不合格1.45V1.35V1.283V8Gb 512M x 161SYNCHRONOUS800MHz13.75nsDRAMParallel512MX163-STATE1615ns0.011A8589934592 bitCOMMON8192881.2mm14mm9mmROHS3 Compliant无铅---
- IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA6 Weeks表面贴装96-TFBGAYESVolatile0°C~95°C TCTray-活跃3 (168 Hours)96-PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1.283V~1.45VBOTTOM11.35V0.8mm--1.45V-1.283V4Gb 256M x 161SYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel256MX16-1615ns-------13mm-ROHS3 Compliant-9616b1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16256A-125KBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM | 对比 | |
| IS43TR16128B-125KBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | 对比 |



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