AS6C1008-55SINL备选型号: AS6C2008A-55SIN
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- 包装
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- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
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- 组织结构
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
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- RoHS状态
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源
- 端口的数量
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM8 WeeksYES32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)表面贴装32Volatile2006Tube-40°C~85°C TAyes活跃3 (168 Hours)32LG-MAX2.7V~5.5VDUAL未说明13V1.27mm未说明5.5V2.7V1Mb 128K x 8SRAMParallel128KX8855ns1048576 bit55 ns11.303mm2.997mm20.75mmROHS3 Compliant-----------
- SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32-Pin SOP8 WeeksYES32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)表面贴装32Volatile2007Tube-40°C~85°C TAyes活跃3 (168 Hours)32-2.7V~5.5VDUAL26013V-405.5V2.7V2Mb 256K x 8SRAMParallel256KX8855ns-55 ns-2.997mm-ROHS3 Compliant32不合格3V3/5V13-STATE18b2 Mb0.00002ACOMMON2V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C2008A-55SINTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width) | SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
![]() | AS6C4008-55SIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width) | ALLIANCE MEMORY AS6C4008-55SIN IC, SRAM, 4MBIT, 5.5V, 512KX8, 32SOP | 对比 |
![]() | R1LV0108ESN-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 存储器 | 32-SOIC (0.450, 11.40mm Width) | SRAM Chip Async Single 3V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOP T/R | 对比 |




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