AS6C3216-55BIN备选型号: AS6C1616A-55BIN
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 无铅代码
- 频率
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 端口的数量
- 地址总线宽度
- 密度
- 高度
- 辐射硬化
- 无铅
- SRAM 32M, 3V, 55ns 2048kx16 Asynch SRAM8 Weeks表面贴装48-LFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATray2013活跃3 (168 Hours)482.7V~3.6VBOTTOM未说明13V0.75mm未说明不合格3.6V3/3.3V2.7V32Mb 2M x 16SRAMParallel2MX163-STATE1655ns0.002A33554432 bit55 nsCOMMON1.2V10mm1.4mm8mmROHS3 Compliant-----------
- SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM8 Weeks表面贴装48-VFBGA-48Volatile-40°C~85°C TATray1997活跃3 (168 Hours)482.7V~3.6VBOTTOM-13.3V0.75mm--3.6V-2.7V16Mb 1M x 16SRAMParallel---55ns--55 ns--8.05mm-10.05mmROHS3 Compliant表面贴装yes1MHz483.3V120b16 Mb700μm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C8016A-55BINTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-VFBGA | SRAM 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM | 对比 |
![]() | AS6C1616A-55BINTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-VFBGA | SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM | 对比 |
![]() | R1LV1616RBG-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TFBGA | 对比 |





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