AS6C4008-55TIN备选型号: IS62WV5128BLL-55HLI

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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子间距
  • 电源电流
  • 最高频率
  • 同步/异步
  • 字长
  • Alliance Memory, Inc.
    ALLIANCE MEMORY AS6C4008-55TIN SRAM, 4MB, 2.7V-5.5V, 512KX8, TSOP32
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    32
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2006
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    2.7V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    40
    32
    3V
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    4Mb 512K x 8
    1
    60mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    55ns
    19b
    4 Mb
    0.00003A
    55 ns
    COMMON
    2V
    1mm
    8mm
    18.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV5128BLL-55HLI - SRAM, 512K X 8, 3V, 55NS, 32STSOP1
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width)
    32
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    2.5V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    2.8V
    40
    32
    3.3V
    3.6V
    -
    2.5V
    4Mb 512K x 8
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    55ns
    19b
    4 Mb
    -
    55 ns
    COMMON
    -
    1.05mm
    11.9mm
    8.1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    0.5mm
    45mA
    18MHz
    Asynchronous
    8b
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