AS6C4008A-55ZIN备选型号: CY62148EV30LL-55SXI

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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
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  • 功能数量
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  • 基本部件号
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • 最高频率
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 座位高度(最大)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2012
    e3/e6
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    40
    32
    R-PDSO-G32
    3V
    3.6V
    2.7V
    4Mb 512K x 8
    1
    SRAM
    Parallel
    8
    55ns
    19b
    4 Mb
    55 ns
    20.95mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC, SRAM, 4MBIT, SOIC-32 - More Details
    6 Weeks
    表面贴装
    32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2003
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.2V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    30
    32
    -
    3V
    3.6V
    2.2V
    4Mb 512K x 8
    1
    SRAM
    Parallel
    8
    55ns
    19b
    4 Mb
    55 ns
    20.4465mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    32
    MoBL®
    CY62148
    20mA
    3-STATE
    0.000007A
    18MHz
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2.997mm
    无SVHC
    无铅
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