AS6C4016A-55ZIN备选型号: AS6C2008-55STIN
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- 电压 - 供电
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- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 端口的数量
- 电源电流-最大值
- 地址总线宽度
- 密度
- 无铅
- SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 256K x 16 Asyn SRAM表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YESVolatile-40°C~85°C TATube2013Obsolete3 (168 Hours)442.7V~3.6VDUAL0.8mmR-PDSO-G44不合格3/3.3V4Mb 256K x 16SRAMParallel256KX163-STATE1655ns0.000004A4194304 bit55 nsCOMMON1.5V符合RoHS标准----------------
- SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32-Pin STSOP表面贴装32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width)YESVolatile-40°C~85°C TATray2006活跃3 (168 Hours)322.7V~3.6VDUAL0.5mm-不合格-2Mb 256K x 8SRAMParallel256KX83-STATE855ns--55 nsCOMMON-ROHS3 Compliant8 Weeks32yes26013V40323V3.6V2.7V10.035mA18b2 Mb无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C8016A-55ZIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II | 对比 |
| CY62136VNLL-55ZSXA | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| AS6C4008A-55TIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM | 对比 |




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