AS6C62256-55PCN备选型号: 71256SA12TPG

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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 同步/异步
  • 字长
  • 座位高度(最大)
  • 器件厚度
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    28-DIP (0.600, 15.24mm)
    28
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2005
    e3/e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    MATTE TIN/TIN BISMUTH
    8542.32.00.32
    2.7V~5.5V
    DUAL
    1
    3.3V
    2.54mm
    28
    3.3V
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    256Kb 32K x 8
    1
    SRAM
    Parallel
    32KX8
    3-STATE
    55ns
    15b
    256 kb
    0.00002A
    55 ns
    COMMON
    2V
    YES
    3.81mm
    36.32mm
    13.21mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin PDIP Tube/Tray
    7 Weeks
    通孔
    -
    PDIP
    28
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    Bulk
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    DUAL
    1
    5V
    2.54mm
    28
    5V
    -
    5V
    -
    32kB
    1
    -
    -
    32KX8
    3-STATE
    -
    15b
    256 kb
    -
    -
    COMMON
    -
    -
    -
    34.3mm
    7.62mm
    符合RoHS标准
    无铅
    70°C
    0°C
    260
    COMMERCIAL
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    160mA
    12 ns
    Asynchronous
    8b
    4.572mm
    3.3mm
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