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首页 全部分类 AS6C8008A-45ZINTR vs CY62146EV30LL-45ZSXI

AS6C8008A-45ZINTR备选型号: CY62146EV30LL-45ZSXI

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  • 系列
  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 功能数量
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  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 最大电源电流
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alliance Memory, Inc.
    AS6C8008A-45ZINTR
    Alliance Memory, Inc.
    SRAM 8M LOW, 3V, 1024K x 8 Asynch SRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2.7V~3.6V
    未说明
    unknown
    未说明
    8Mb 1M x 8
    SRAM
    Parallel
    45ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62146EV30LL-45ZSXI
    Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62146EV30LL-45ZSXI - SRAM, 4MB, 256KX16, 3V, TSOPII-44
    6 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    1996
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2.2V~3.6V
    260
    -
    30
    4Mb 256K x 16
    SRAM
    Parallel
    45ns
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    44
    MoBL®
    e3
    44
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    1
    3V
    0.8mm
    1MHz
    CY62146
    44
    3V
    3.6V
    2.2V
    1
    20mA
    20mA
    3-STATE
    16
    18b
    4 Mb
    0.000007A
    45 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    无SVHC
    无
    无铅
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