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首页 全部分类 AS6C8016A-55BIN vs CY62157EV30LL-45BVXI

AS6C8016A-55BIN备选型号: CY62157EV30LL-45BVXI

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  • 终端
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  • 频率
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  • 基本部件号
  • 电源电流
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  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 达到SVHC
  • Alliance Memory, Inc.
    AS6C8016A-55BIN
    Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin FBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    48-VFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    1997
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.75mm
    48
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    8Mb 512K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    16
    55ns
    19b
    8 Mb
    55 ns
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62157EV30LL-45BVXI
    Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62157EV30LL-45BVXI - IC, SRAM, 8MB, 512KX16, 3V, VFBGA48
    6 Weeks
    表面贴装
    48-VFBGA
    -
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2001
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    2.2V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    48
    3V
    3.6V
    2.2V
    8Mb 512K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    16
    45ns
    19b
    8 Mb
    45 ns
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    223.195796mg
    MoBL®
    e1
    SMD/SMT
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    1MHz
    30
    CY62157
    25mA
    25mA
    3-STATE
    0.000005A
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    8mm
    无SVHC
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