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首页 全部分类 AS7C1026C-15JIN vs 71016S15PHG

AS7C1026C-15JIN备选型号: 71016S15PHG

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • Current - Supply (Nom)
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电源
  • 温度等级
  • 界面
  • 访问时间
  • 输出特性
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 宽度
  • 器件厚度
  • Alliance Memory, Inc.
    AS7C1026C-15JIN
    Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 15ns
    8 Weeks
    表面贴装
    44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2006
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    5V
    DUAL
    1
    1Mb 64K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    16
    15ns
    16b
    1 Mb
    28.575mm
    3.7592mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71016S15PHG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
    12 Weeks
    -
    TSOP
    -
    44
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    -
    2004
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    5V
    DUAL
    1
    128kB
    1
    -
    -
    -
    -
    16b
    1 Mb
    18.41mm
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    180mA
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    70°C
    0°C
    鸥翼
    260
    0.8mm
    30
    5V
    COMMERCIAL
    Parallel
    15 ns
    3-STATE
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    5.5V
    4.5V
    10.16mm
    1mm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
AS7C1026B-15JCN AS7C1026B-15JCN Alliance Memory, Inc. 存储器 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM 对比