AS7C1026C-15TIN备选型号: 71016S15PHGI

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  • 最大电源电压
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  • 输出特性
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 15ns
    8 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2006
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    4.5V~5.5V
    DUAL
    1
    5V
    0.8mm
    44
    5V
    1Mb 64K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    16
    15ns
    16b
    1 Mb
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
    12 Weeks
    -
    TSOP
    -
    44
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    -
    2007
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    -
    DUAL
    1
    5V
    0.8mm
    44
    5V
    128kB
    1
    -
    -
    -
    -
    16b
    1 Mb
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    85°C
    -40°C
    鸥翼
    260
    30
    5V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    180mA
    15 ns
    3-STATE
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    18.41mm
    10.16mm
    1mm
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