AS7C34098A-8TIN备选型号: 71V416L10PHG

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 最大电源电流
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  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 访问时间(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 输出特性
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 无铅
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 4M, 3.3v, FAST 256K x 16 Asynch SRAM
    10 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    3V~3.6V
    DUAL
    1
    3.3V
    0.8mm
    3.3V
    3.6V
    3V
    4Mb 256K x 16
    1
    80mA
    SRAM
    Parallel
    16
    8ns
    18b
    4 Mb
    8 ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
    12 Weeks
    -
    TSOP
    -
    44
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    -
    2005
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    -
    DUAL
    1
    3.3V
    0.8mm
    3.3V
    -
    -
    512kB
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    18b
    4 Mb
    -
    符合RoHS标准
    表面贴装
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn) - annealed
    70°C
    0°C
    鸥翼
    260
    30
    44
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.6V
    3V
    180mA
    10 ns
    3-STATE
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    3V
    18.41mm
    10.16mm
    1mm
    无铅
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