AT45DB011D-MH-T备选型号: SST25VF010A-33-4I-SAE
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 最大电源电流
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- IC FLASH 1MBIT 66MHZ 8UDFNGold表面贴装表面贴装8-UDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TCTape & Reel (TR)1997e4Obsolete1 (Unlimited)8EAR992.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm83.3V3.6V2.7VSPI, Serial1Mb 264Bytes x 512 pages25mA66MHz6 nsFLASHSPI8b1MX114ms1b1 Mb0.000025ASynchronous8b2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE6mm0.6mm无符合RoHS标准无铅------------
- MICROCHIP - SST25VF010A-33-4I-SAE - 1M FLASH MEMORY, SPI EEPROM, SOIC8--表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATube2000e3活跃1 (Unlimited)83A991.B.1.A2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm83.3V3.6V2.7VSPI, Serial1Mb 128K x 810mA33MHz12 nsFLASHSPI8b1MX1-20μs1b1 Mb0.000015ASynchronous8b2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles-HARDWARE/SOFTWARE5mm-无ROHS3 Compliant无铅6 WeeksYES540.001716mgSST25yesMatte Tin (Sn)40SST25VF010A10mA1.5mm4mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25VF010A-33-4C-SAE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICROCHIP - SST25VF010A-33-4C-SAE - MEMORY, FLASH, 1MBIT, SPI, 8SOIC | 对比 |
| SST25VF010A-33-4I-SAE-T | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 1MBIT 33MHZ 8SOIC | 对比 |




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