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首页 全部分类 ATF-54143-TR1G vs BF2030WH6814XTSA1

ATF-54143-TR1G备选型号: BF2030WH6814XTSA1

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  • DS 击穿电压-最小值
  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 噪声图
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压-测试
  • Broadcom Limited
    ATF-54143-TR1G
    Broadcom Limited
    BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G RF FET Transistor, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-82A, SOT-343
    4
    1
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    150°C
    -65°C
    5V
    725mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    120mA
    2GHz
    ATF-54143
    SINGLE
    增强型MOSFET
    725mW
    SOURCE
    60mA
    AMPLIFIER
    3V
    N-CHANNEL
    pHEMT FET
    120mA
    1V
    16.6dB
    0.12A
    5V
    20.4dBm
    高电子迁移率
    0.5dB
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    BF2030WH6814XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.04A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R
    -
    -
    表面贴装
    SC-82A, SOT-343
    4
    1
    Tape & Reel (TR)
    2007
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    150°C
    -55°C
    -
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    -
    40mA
    800MHz
    BF2030
    SINGLE
    DUAL GATE, DEPLETION MODE
    -
    SOURCE
    10mA
    AMPLIFIER
    -
    -
    N-Channel
    40mA
    -
    23dB
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.5dB
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    5V
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