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ATP207-TL-H备选型号: ATP203-TL-H
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- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 40V 65A ATPAKLIFETIME (Last Updated: 3 days ago)表面贴装ATPAK (2 leads+tab)YES365A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2008e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)3Single50W27 nsN-Channel9.1m Ω @ 33A, 10V无卤素2710pF @ 20V54nC @ 10V290ns40V±20V110 ns65A20V符合RoHS标准无铅------ MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK-表面贴装ATPAK (2 leads+tab)YES375A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2008e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99-3Single50W24 nsN-Channel8.2m Ω @ 38A, 10V无卤素2750pF @ 10V44nC @ 10V420ns30V±20V75 ns75A20V符合RoHS标准无铅Tin8.2mOhm1.5mm6.5mm7.3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTDV5804NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 69A DPAK | 对比 |
 | IPI70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1 | 对比 |
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