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首页 全部分类 ATP216-TL-H vs FDD5680

ATP216-TL-H备选型号: FDD5680

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    ATP216-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    35A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3
    Single
    27 ns
    N-Channel
    23m Ω @ 18A, 4.5V
    无卤素
    2700pF @ 20V
    30nC @ 4.5V
    90ns
    50V
    ±10V
    105 ns
    35A
    10V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5680
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Ch PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    8.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    15 ns
    N-Channel
    21m Ω @ 8.5A, 10V
    -
    1835pF @ 30V
    46nC @ 10V
    9ns
    -
    ±20V
    16 ns
    8.5A
    20V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    表面贴装
    260.37mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    2
    21mOhm
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    38A
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    SWITCHING
    4V @ 250μA
    60V
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