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首页 全部分类 ATP401-TL-H vs NTD20P06LT4G

ATP401-TL-H备选型号: NTD20P06LT4G

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ATP401-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH 4.5V DRIVE SERIES
    LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    SILICON
    100A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    DRAIN
    110 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    17000pF @ 20V
    300nC @ 10V
    580ns
    ±20V
    710 ns
    100A
    20V
    0.0052Ohm
    60V
    400A
    549 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD20P06LT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    15.5A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    65W
    DRAIN
    11 ns
    P-Channel
    150m Ω @ 7.5A, 5V
    -
    1190pF @ 25V
    26nC @ 5V
    90ns
    ±20V
    70 ns
    15.5A
    20V
    -
    -60V
    50A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    130mOhm
    -60V
    260
    -15A
    40
    SWITCHING
    2V @ 250μA
    60V
    -1.5V
    -1.5 V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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