ATSAMD20E18A-MUT备选型号: ATSAMD21E18A-MU
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源
- 界面
- 内存大小
- 振荡器类型
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- uPs/uCs/外围ICs类型
- 核心处理器
- 周边设备
- 程序存储器类型
- 芯尺寸
- 程序内存大小
- 连接方式
- 位元大小
- 有ADC
- DMA 通道
- 数据总线宽度
- 脉宽调制通道
- 定时器/计数器的数量
- 密度
- 核心架构
- 处理器系列
- 最高频率
- 可编程I/O数
- ADC通道数量
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- 频率
- I2C通道数
- USB 通道数
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MCU 32-bit SAM D20E ARM Cortex M0 RISC 256KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 32-Pin QFN EP T/R18 WeeksTin表面贴装32-VFQFN Exposed PadYES32188.609377mgA/D 10x12b; D/A 1x10b-40°C~85°C TATape & Reel (TR)SAM D20E2015yes活跃3 (168 Hours)32QUAD无铅3.3V0.5mmATSAMD20E18不合格1.8V1.8/3.3VI2C, SPI, UART, USART256kBInternal1.62V~3.6VMICROCONTROLLER, RISCARM® Cortex®-M0+Brown-out Detect/Reset, POR, WDTFLASH32-Bit256KB 256K x 8I2C, SPI, UART/USART32YESNO32bYES62 MbARMCORTEX-M048MHz26105mm1mmROHS3 Compliant--------
- ATMEL ATSAMD21E18A-MU32 Bit Microcontroller, SAM D Series, ARM Cortex-M0 , 48 MHz, 256 KB, 32 KB, 32 Pins, QFN7 WeeksTin表面贴装32-VFQFN Exposed Pad-32-A/D 10x12b; D/A 1x10b-40°C~85°C TATraySAM D21E2014yes活跃3 (168 Hours)32QUAD无铅3.3V-ATSAMD21E18不合格3.3V-I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USART, USB256kBInternal1.62V~3.6VMICROCONTROLLER, RISCARM® Cortex®-M0+Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDTFLASH32-Bit256KB 256K x 8I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB32YESYES32bYES6-ARMCORTEX-M0--105mm-ROHS3 Compliant表面贴装48MHz41950μm5mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ATSAMD21E17A-MU | Microchip Technology | 嵌入式 - 微控制器 | 32-VFQFN Exposed Pad | IC MCU 32BIT 128KB FLASH 32QFN | 对比 |
![]() | MKL02Z32VFM4 | NXP USA Inc. | 嵌入式 - 微控制器 | 32-VFQFN Exposed Pad | MCU 8-bit Kinetis KL02 ARM Cortex M0 CISC 32KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 32-Pin QFN EP Tray | 对比 |
![]() | ATSAMD21E18A-MF | Microchip Technology | 嵌入式 - 微控制器 | 32-VFQFN Exposed Pad | IC MCU 32BIT 256KB FLASH 32QFN | 对比 |




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