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首页 全部分类 AUIRF1404 vs IRLB3034PBF

AUIRF1404备选型号: IRLB3034PBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 通道数量
  • 最大结点温度（Tj）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF1404
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    Single
    增强型MOSFET
    333W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 121A, 10V
    4V @ 250μA
    5669pF @ 25V
    196nC @ 10V
    190ns
    ±20V
    33 ns
    160A
    2V
    TO-220AB
    20V
    0.004Ohm
    40V
    808A
    620 mJ
    2 V
    16.51mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB3034PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    -
    65 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 195A, 10V
    2.5V @ 250μA
    10315pF @ 25V
    162nC @ 4.5V
    827ns
    ±20V
    355 ns
    195A
    2.5V
    TO-220AB
    20V
    -
    40V
    -
    255 mJ
    -
    19.8mm
    10.5156mm
    4.699mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    1.7MOhm
    未说明
    未说明
    不合格
    1
    175°C
    无铅
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