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AUIRF2807备选型号: FDP80N06
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB8 WeeksTin通孔通孔TO-220-33SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011Obsolete1 (Unlimited)3EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITYSingle增强型MOSFET230WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING13m Ω @ 43A, 10V4V @ 250μA3820pF @ 25V160nC @ 10V64ns±20V48 ns75A2VTO-220AB20V75V280A2 V16.51mm10.66mm4.82mm无SVHC无符合RoHS标准-----------
MOSFET N-CH 60V 80A TO-2205 Weeks-通孔通孔TO-220-33SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeUniFET™2013活跃1 (Unlimited)3EAR99-Single增强型MOSFET176W-32 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA3190pF @ 25V74nC @ 10V259ns±20V113 ns80A-TO-220AB20V60V--16.51mm10.67mm4.83mm--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1.8ge3yes10MOhmTin (Sn)未说明未说明不合格480 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF2807ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB | 对比 |
| IRF2807PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S | 对比 |
| IRL3705NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB | 对比 |
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