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首页 全部分类 AUIRF7640S2TR vs IPG20N06S4L26AATMA1

AUIRF7640S2TR备选型号: IPG20N06S4L26AATMA1

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  • 端子表面处理
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    AUIRF7640S2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SB
    6
    SILICON
    5.8A Ta 21A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    30W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 13A, 10V
    5V @ 25μA
    450pF @ 25V
    11nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    6.2 ns
    5.8A
    20V
    77A
    60V
    84A
    57 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S4L26AATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    R-PDSO-F6
    -
    增强型MOSFET
    33W
    DRAIN
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    26m Ω @ 17A, 10V
    2.2V @ 10μA
    1430pF @ 25V
    20nC @ 10V
    3ns
    -
    10 ns
    20A
    20V
    -
    -
    -
    35 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    33W
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Dual
    无卤素
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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