AUIRFN8405TR备选型号: IRFH7004TRPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
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  • 输入电容
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  • 工厂交货时间
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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 187A AUTO
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (5x6)
    95A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    N-Channel
    2mOhm @ 50A, 10V
    3.9V @ 100μA
    5142pF @ 25V
    117nC @ 10V
    40V
    ±20V
    95A
    3.9V
    5.142nF
    1.6mOhm
    2 mΩ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 100A PQFN 5X6
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    5
    -
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    HEXFET®, StrongIRFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    1.4m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    6419pF @ 25V
    194nC @ 10V
    40V
    ±20V
    100A
    3V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    5
    EAR99
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    15 ns
    SWITCHING
    51ns
    49 ns
    20V
    40V
    3 V
    850μm
    6mm
    5mm
    无铅
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