AUIRFR2607Z备选型号: IRLR2905TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 无铅
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK26 WeeksTinTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3SILICON42A Tc2010HEXFET®Tube-55°C~175°C TJe3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 30A, 10V4V @ 50μA1440pF @ 25V51nC @ 10V59ns±20V28 ns45A2VTO-252AA20V42A0.022Ohm75V96 mJ6.22mm6.73mm2.39mmROHS3 Compliant无无SVHC----------
- In a Tube of 75, N-Channel MOSFET, 42 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR2905PBF12 WeeksTinTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3SILICON42A Tc2000HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2EAR99雪崩 额定鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET69WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 25A, 10V2V @ 250μA1700pF @ 25V48nC @ 5V84ns±16V15 ns42A2VTO-252AA16V20A-55V-6.22mm6.7056mm2.52mmROHS3 Compliant无无SVHCSMD/SMT27mOhm55V41A155V120 ns175°C2 VContains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK | 对比 |



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