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AUIRFSA8409-7P备选型号: AUIRFS8409-7P
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET NCH 40V 523A D2PAK15 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)SILICON523A Tc-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®2016不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING0.69m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 250μA13975pF @ 25V460nC @ 10V40V±20V523A360A0.00069Ohm1440A40V1450 mJROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-713 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)-240A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010不用于新设计1 (Unlimited)-EAR99--------N-Channel-0.75m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 250μA13975pF @ 25V460nC @ 10V-±20V240A-----ROHS3 Compliant7IRFS84091Single375W32 ns148ns107 ns3V20V40V3 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB0105N407L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0105N407L MOSFET Transistor, N Channel, 460 A, 40 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.8 VNew | 对比 |
 | IRFS7430TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | 对比 |
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