AUIRS2301STR备选型号: TC4426AEOA713
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 基本部件号
- 最大输出电流
- 电源
- 功率耗散
- 输出电流
- 传播延迟
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 信道型
- 驱动器数量
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 内置保护器
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 电源电流
- 最大电源电流
- 输入类型
- 关断时间
- 座位高度(最大)
- IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC17 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1002000e3活跃3 (168 Hours)8EAR99Matte Tin (Sn)625mW5V~20VDUAL鸥翼115VAUIRS2301S350mA15V625mW200mA300 ns220 ns220ns80 ns130ns 50ns基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器Independent20.3 μs0.35AIGBT, N-Channel MOSFET200mA 350mAYESTRANSIENT; UNDER VOLTAGE600V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
- IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC8 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Low-Side-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2004e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn) - annealed470mW4.5V~18VDUAL鸥翼2-TC4426A1.5A-470mW1.5A35 ns35 ns25ns25 ns25ns 25ns基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器Independent20.045 μs1.5AN-Channel, P-Channel MOSFET1.5A 1.5AYES---4.9mm3.91mm-无ROHS3 Compliant无铅yes2604081mA2mAInverting0.045 μs1.75mm
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRS2181STR | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Driver 600V 2.3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |
![]() | IRS2608DSPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 对比 |
![]() | IRS2607DSTRPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC | 对比 |




哦! 它是空的。