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首页 全部分类 AUIRS2334S vs IX2113BTR

AUIRS2334S备选型号: IX2113BTR

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  • 无铅
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  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 输出电压
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 工作电源电流
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    AUIRS2334S
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    20-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    20
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q100
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    20
    EAR99
    1.14W
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    15V
    1.27mm
    AUIRS2334S
    3
    200mA
    15V
    300μA
    1.14W
    350mA
    750 ns
    Non-Inverting
    60 ns
    125ns
    50 ns
    125ns 50ns
    3-Phase
    6
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    600V
    2.64mm
    12.98mm
    7.6mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IX2113BTR
    IXYS Integrated Circuits Division
    IC GATE DVR HIGH/LOW 600V 16SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1.25W
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-Inverting
    160 ns
    9.4ns
    9.7 ns
    9.4ns 9.7ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    2A 2A
    600V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    16-SOIC
    665.986997mg
    125°C
    -40°C
    1.6V
    20V
    10V
    236μA
    Dual
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