AZ4580MTR-G1备选型号: NCV833DR2G
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 电压 - 电源,单/双路(±)
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- 输入失调电压(Vos)
- 增益带宽积
- 电压增益
- 电源抑制比
- 电压 - 输入断态
- 最大双电源电压
- 最小双电源电压
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 表面安装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 温度等级
- 标称增益带宽积
- 座位高度(最大)
- 长度
- 无铅
- OP Amp Dual GP 18V 36V 8-Pin SOIC T/R22 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SOIC-40°C~85°CTape & Reel (TR)2007活跃3 (168 Hours)85°C-40°C500mW236V4V4mA4mA7V/μs通用型80 dB150nA±2V~18V80mA500μV15MHz110dB80dB500μV18V2VROHS3 Compliant------------------
- IC OPAMP DUAL LO-NOISE 8SOIC2 Weeks--表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8--Tape & Reel (TR)2005活跃1 (Unlimited)---2--4mA-7V/μs通用型-300nA--300μV15MHz-----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)YESe3yes8EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明2未说明8INDUSTRIAL15MHz1.75mm4.9mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KA358D | ON Semiconductor | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC | 对比 | |
| LM358DR2G | ON Semiconductor | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC | 对比 | |
![]() | LM258DRG4 | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Operational Amplifier [Texas Instruments] LM258DRG4 Operational Amplifier | 对比 |




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