您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BAR9002ELSE6327XTSA1 vs S1GHE

BAR9002ELSE6327XTSA1备选型号: S1GHE

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 类型
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 最大额定电流
  • 元素配置
  • 二极管类型
  • 正向电流
  • 无卤素
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • 电阻@If,F
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 质量
  • 二极管元件材料
  • 系列
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 电容量
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 速度
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • Infineon Technologies
    BAR9002ELSE6327XTSA1
    Infineon Technologies
    DIODE PIN SGL 80V 100MA TSSLP-2
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    0201 (0603 Metric)
    2
    250mW
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Switch
    未说明
    未说明
    100mA
    Single
    PIN - Single
    100mA
    无卤素
    750 ns
    0.35pF @ 1V 1MHz
    80V
    800mOhm @ 10mA 100MHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    S1GHE
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    2-SMD, Flat Lead
    -
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    -
    Single
    Standard
    1A
    -
    782 ns
    3pF @ 4V 1MHz
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    6mg
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101
    yes
    2
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    3pF
    DUAL
    not_compliant
    R-PDSO-F2
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    1μA @ 400V
    1.1V @ 1A
    CATHODE
    -55°C~175°C
    1A
    400V
    1A
    20nA
    400V
    20A
    175°C
    750μm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比