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首页 全部分类 BAS21E6433HTMA1 vs NSVBAS20LT3G

BAS21E6433HTMA1备选型号: NSVBAS20LT3G

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • Operating Temperature (Max)
  • Operating Temperature (Min)
  • 包装
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 平均整流电流（Io）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 输出电流-最大值
  • JEDEC-95代码
  • Infineon Technologies
    BAS21E6433HTMA1
    Infineon Technologies
    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    150°C
    -65°C
    1
    Tape & Reel (TR)
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.10.00.70
    200V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    250mA
    未说明
    BAS21
    不合格
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100nA @ 200V
    1.25V @ 200mA
    250mA
    625mA
    150°C Max
    250mA DC
    200V
    250mA
    50 ns
    200V
    5pF @ 0V 1MHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSVBAS20LT3G
    ON Semiconductor
    DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    SILICON
    -
    -
    1
    Tape & Reel (TR)
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.10.00.70
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 150V
    1.25V @ 200mA
    -
    -
    -55°C~150°C
    200mA DC
    200V
    200mA
    50 ns
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4 Weeks
    Automotive, AEC-Q101
    2012
    e3
    Tin (Sn)
    R-PDSO-G3
    SINGLE
    0.2A
    TO-236AB
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