您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BC846SH6327XTSA1 vs MUN5212DW1T1

BC846SH6327XTSA1备选型号: MUN5212DW1T1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • 极性
  • 电压
  • 电流
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • Infineon Technologies
    BC846SH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans GP BJT NPN 65V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    65V
    600mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    250mW
    鸥翼
    未说明
    250MHz
    未说明
    BC846S
    6
    AEC-Q101
    NPN
    65V
    1A
    250mW
    AMPLIFIER
    无卤素
    2 NPN (Dual)
    5V
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    250MHz
    65V
    80V
    6V
    800μm
    2mm
    1.25mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN5212DW1T1
    ON Semiconductor
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    250mW
    鸥翼
    260
    -
    40
    MUN52**DW1T
    6
    -
    NPN
    -
    -
    187mW
    SWITCHING
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    250mV
    100mA
    60 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    100mA
    不合格
    Dual
    22k Ω
    100mA
    22k Ω
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MUN5237DW1T1 MUN5237DW1T1 ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 对比
MUN5216DW1T1 MUN5216DW1T1 ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 对比
MUN5235DW1T1 MUN5235DW1T1 ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 对比