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首页 全部分类 BC847BT116 vs RN1404S,LF

BC847BT116备选型号: RN1404S,LF

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  • 晶体管应用
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  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 配置
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ROHM Semiconductor
    BC847BT116
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 45V 0.1A SST3
    13 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    45V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.21.00.75
    45V
    350mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    10
    3
    Single
    200mW
    AMPLIFIER
    200MHz
    NPN
    NPN
    45V
    100mA
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    200MHz
    45V
    50V
    6V
    200
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1404S,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    59
    SILICON
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    200mW
    SWITCHING
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    50V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    RN140*
    R-PDSO-G3
    NPN
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    80 @ 10mA 5V
    250MHz
    47 k Ω
    100mA
    47 k Ω
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