BC848B-13-F备选型号: RN1404S,LF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 极性
- 功率耗散
- 最大击穿电压
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- TRANS NPN 30V 0.1A SOT-2315 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON30V-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY310mWDUAL鸥翼26040AEC-Q101SINGLE310mWSWITCHINGNPNNPN600mV100mA450 @ 2mA 5V15nA600mV @ 5mA, 100mA300MHz300MHz无SVHCROHS3 Compliant--------
- Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k16 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-359SILICON50V-Tape & Reel (TR)2014--活跃1 (Unlimited)3--BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1200mWDUAL鸥翼---SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR-SWITCHING-NPN - Pre-Biased300mV100mA80 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA250MHz250MHz-符合RoHS标准RN140*R-PDSO-G3NPN200mW50V47 k Ω100mA47 k Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1404S,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k | 对比 | |
| DTC144GKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 | |
![]() | SMUN2212T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R | 对比 |




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