BCP68T1G备选型号: BCP56-16T1G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 晶体管应用
- ON SEMICONDUCTOR - BCP68T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 20 V, 60 MHz, 1.5 W, 1 A, 50 hFEACTIVE (Last Updated: 2 days ago)11 WeeksTin表面贴装TO-261-4, TO-261AAYES4SILICON20V500mV-65°C~150°C TJCut Tape (CT)2005e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR9920V1.5WDUAL鸥翼1A60MHzBCP684Single1.5WCOLLECTOR60MHzNPNNPN20V1A85 @ 500mA 1V10μA ICBO500mV @ 100mA, 1A60MHz20V25V5V1.651mm6.6802mm3.7084mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- TRANS NPN 80V 1A SOT223ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8 WeeksTin表面贴装TO-261-4, TO-261AAYES4SILICON80V500mV-65°C~150°C TJCut Tape (CT)2005e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR9980V1.5WDUAL鸥翼1A130MHzBCP564Single1.5WCOLLECTOR130MHzNPNNPN80V1A100 @ 150mA 2V100nA ICBO500mV @ 50mA, 500mA130MHz80V100V5V1.57mm6.5mm3.5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅26040AMPLIFIER
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BCP56T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-261-4, TO-261AA | TRANS NPN 80V 1A SOT223 | 对比 |
| BCP68T1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-223-4 | TRANS NPN 20V 1A SOT223 | 对比 |



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