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BCR108E6327HTSA1备选型号: KSC1623GMTF
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- 触点镀层
- 底架
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- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R26 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350V2007Tape & Reel (TR)e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99150°C-65°C50V200mWDUAL鸥翼100mABCR108NPNSingle200mWSWITCHING不含卤素NPN - Pre-Biased300mV100mA70 @ 5mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA170MHz50V170MHz2.2 k Ω47 k ΩROHS3 Compliant无无SVHC无铅------------------ Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor13 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350V2002Tape & Reel (TR)e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99--50V200mWDUAL鸥翼100mAKSC1623-Single200mWAMPLIFIER-NPN50V100mA200 @ 1mA 6V100nA ICBO300mV @ 10mA, 100mA250MHz50V---ROHS3 Compliant--无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)30mgSILICON150mV150°C TJTin (Sn)未说明250MHz未说明不合格250MHzNPN60V5V970μm2.9mm1.3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC847B-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE | 对比 |
| KSC1623YMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
| KSC1623LMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
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