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BD679G备选型号: BD679AG

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 生命周期状态
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 极性
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 转换频率
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    BD679G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
    2 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    TO-225AA, TO-126-3
    通孔
    通孔
    Tin
    3
    SILICON
    750
    2.5V
    1995
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    80V
    40W
    260
    4A
    40
    BD679
    3
    NPN
    80V
    Single
    2A
    AMPLIFIER
    NPN - Darlington
    80V
    4A
    750 @ 1.5A 3V
    500μA
    2.5V @ 30mA, 1.5A
    80V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BD679AG
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    TO-225AA, TO-126-3
    通孔
    通孔
    -
    3
    SILICON
    80V
    2.8V
    1997
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    80V
    40W
    260
    4A
    40
    BD679
    3
    NPN
    80V
    Single
    2A
    AMPLIFIER
    NPN - Darlington
    80V
    4A
    750 @ 2A 3V
    500μA
    2.8V @ 40mA, 2A
    80V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4.535924g
    Tin (Sn)
    40W
    1MHz
    11.04mm
    7.74mm
    2.66mm
    无SVHC
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