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BDW47G备选型号: 2N6490G

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • JEDEC-95代码
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 频率
  • 基本部件号
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    BDW47G
    ON Semiconductor
    Trans Darlington PNP 100V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    100V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -100V
    85W
    260
    -15A
    40
    3
    PNP
    Single
    85W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    PNP - Darlington
    100V
    15A
    1000 @ 5A 4V
    2mA
    TO-220AB
    3V @ 50mA, 10A
    4MHz
    4MHz
    100V
    5V
    15A
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2N6490G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - 2N6490G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 5 MHz, 1.8 W, -15 A, 5 hFE
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    5 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    100V
    3.5V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    60V
    1.8W
    260
    15A
    40
    3
    -
    Single
    1.8W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    PNP
    60V
    15A
    20 @ 5A 4V
    1mA
    -
    3.5V @ 5A, 15A
    5MHz
    -
    70V
    5V
    -
    15.75mm
    10.28mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    5MHz
    2N6490
    5MHz
    PNP
    60V
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