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首页 全部分类 BF1202R,215 vs BF909,215

BF1202R,215备选型号: BF909,215

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  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • NXP USA Inc.
    BF1202R,215
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
    TO-253-4, TO-253AA
    10V
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30mA
    400MHz
    BF1202
    4
    12mA
    N-Channel Dual Gate
    30.5dB
    200mW
    0.9dB
    5V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BF909,215
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143
    TO-253-4, TO-253AA
    2
    Tape & Reel (TR)
    1998
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    40mA
    800MHz
    BF909
    4
    15mA
    N-Channel Dual Gate
    -
    -
    2dB
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    e3
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低噪音
    8541.21.00.75
    鸥翼
    260
    unknown
    40
    R-PDSO-G4
    不合格
    COMPLEX
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    SOURCE
    AMPLIFIER
    0.04A
    7V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.05 pF
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BF1105,215 BF1105,215 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 TO-253-4, TO-253AA MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143 对比