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首页 全部分类 BF1215,115 vs DMG9926UDM-7

BF1215,115备选型号: DMG9926UDM-7

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  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BF1215,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 6V 30MA 6TSSOP
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6V
    Tape & Reel (TR)
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30mA
    unknown
    400MHz
    BF1215
    6
    19mA
    N-Channel Dual Gate
    30dB
    1.5dB
    5V
    2013-10-15 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG9926UDM-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
    SOT-23-6
    2
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    DMG9926UDM
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    980mW
    鸥翼
    260
    40
    增强型MOSFET
    980mW
    8.4 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    28m Ω @ 8.2A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    856pF @ 10V
    8.3nC @ 4.5V
    8.2ns
    20V
    8.9 ns
    4.2A
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.3mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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