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首页 全部分类 BM6101FV-CE2 vs IR21141SSTRPBF

BM6101FV-CE2备选型号: IR21141SSTRPBF

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    BM6101FV-CE2
    ROHM Semiconductor
    5A, 1A Gate Driver Magnetic Coupling 2500Vrms 1 Channel 20-SSOP-B
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    20-SSOP (0.240, 6.10mm Width)
    20
    265 ns
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.19W
    未说明
    未说明
    2
    UR
    2500Vrms
    24V
    1A
    1
    24V
    4.5V
    400mA
    4.9mA
    350 ns
    265 ns
    50ns
    50 ns
    50ns 50ns
    BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER
    350ns, 350ns
    100V/μs
    150°C
    125°C
    14V~24V
    2.01mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IR21141SSTRPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    24-SSOP (0.209, 5.30mm Width)
    24
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    1.5W
    -
    -
    2
    -
    -
    620V
    3A
    -
    20V
    11.5V
    3A
    2.5mA
    660 ns
    440 ns
    24ns
    7 ns
    24ns 7ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.8542mm
    符合RoHS标准
    -
    24-SSOP
    60Ohm
    125°C
    -40°C
    11.5V~20V
    IR21141SSPBF
    2.5mA
    1.5W
    Non-Inverting
    Independent
    2
    330μA
    IGBT
    2A 3A
    600V
    8.4836mm
    5.588mm
    无
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