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首页 全部分类 BM6103FV-CE2 vs IR21141SSTRPBF

BM6103FV-CE2备选型号: IR21141SSTRPBF

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  • 输出电流
  • 最大电源电流
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 信道型
  • 输入偏置电流
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    BM6103FV-CE2
    ROHM Semiconductor
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
    表面贴装
    20-LSSOP (0.240, 6.10mm Width)
    YES
    20
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    20
    EAR99
    4.5V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    0.635mm
    BM6103
    Inverting, Non-Inverting
    50ns 50ns
    BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER
    1
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IR21141SSTRPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
    表面贴装
    24-SSOP (0.209, 5.30mm Width)
    -
    24
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    11.5V~20V
    -
    -
    -
    IR21141SSPBF
    Non-Inverting
    24ns 7ns
    -
    2
    IGBT
    无
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    24-SSOP
    60Ohm
    125°C
    -40°C
    1.5W
    2
    620V
    3A
    20V
    11.5V
    2.5mA
    1.5W
    3A
    2.5mA
    660 ns
    440 ns
    24ns
    7 ns
    Independent
    330μA
    2A 3A
    600V
    1.8542mm
    8.4836mm
    5.588mm
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