BS108,126备选型号: FQNL2N50BBU

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    NO
    SILICON
    300mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2001
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    BOTTOM
    未说明
    未说明
    3
    O-PBCY-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    5 Ω @ 100mA, 2.8V
    1.8V @ 1mA
    120pF @ 25V
    200V
    ±20V
    0.3A
    5Ohm
    200V
    15 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    -
    -
    350mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2014
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    5.3 Ω @ 175mA, 10V
    3.7V @ 250μA
    230pF @ 25V
    -
    ±30V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    通孔
    3
    QFET®
    500V
    350mA
    Single
    1.5W
    8nC @ 10V
    25ns
    25 ns
    350mA
    30V
    500V
    无铅
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