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BSC010N04LSATMA1备选型号: IRFH7084TRPBF
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 辐射硬化
- 达到SVHC
INFINEON BSC010N04LSMOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V39 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON38A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)OptiMOS™2003e3no活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET2.5WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING1m Ω @ 50A, 10V2V @ 250μA无卤素6800pF @ 20V95nC @ 10V12ns±20V9 ns100A1.2V20V40V40V400A330 mJ150°C1.1mmROHS3 Compliant含铅----
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007--活跃1 (Unlimited)-EAR99--------1---16 nsN-Channel-1.25m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 150μA-6560pF @ 25V190nC @ 10V31ns±20V34 ns100A3.9V20V------ROHS3 Compliant无铅Single40V无无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 100A PQFN | 对比 |
 | STB200NF04T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 对比 |
 | BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
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